型号: 2SK879-GR(TE85L,F)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表： 2SK879 -
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： JFET（结点场效应
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： N 沟道
电压 - 击穿（V（BR）GSS）： -
漏源极电压（Vdss）： -
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）： 2.6mA @ 10V
漏极电流（Id） - 最大值： -
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）： 400mV @ 100nA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 8.2pF @ 10V
电阻 - RDS（开）： -
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SC-70，SOT-323
供应商器件封装： USM
功率 - 最大值： 100mW
其它名称： 2SK879-GR (TE85L,F)2SK879-GR(TE85LF)TR
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