型号: 2ST501T
功能描述: 达林顿晶体管 PWR BIP/S.SIGNAL
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 达林顿晶体管
RoHS: 是
配置: Single
晶体管极性: NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO: 350 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
最大集电极截止电流: 500 uA
Pd-功率耗散: 100 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
系列: 2ST501
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
集电极连续电流: 4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 2000
产品类型: Darlington Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
单位重量: 2.300 g
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