型号: 375-102N12A-00
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-375-102N12A 12A 1000V N Channel MOSFET
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 12 A
Vds-漏源极击穿电压: 1000 V
Rds On-漏源导通电阻: 1.05 Ohms
输出功率: 940 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SMD-6
封装: Tube
工作频率: 50 MHz
类型: RF Power MOSFET
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 6.7 S
通道数量: 1 Channel
产品类型: RF MOSFET Transistors
Qg-栅极电荷: 77 nC
工厂包装数量: 25
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
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