型号:  3LN01M-TL-E

功能描述:  

制造商:  ON Semiconductor

RoHS:  符合 RoHS

150 mW:  Pd - 功率消耗

安装风格:  SMD/SMT

封装/外壳:  MCPH-3

系列:  3LN01M

品牌:  ON Semiconductor

下降时间:  120 ns

最低工作温度:  - 55 C

上升时间:  65 ns

标准包装数量:  3000

标准断开延迟时间:  155 ns

晶体管极性:  N-Channel

Vds - 漏-源击穿电压:  30 V

Vgs - 闸极-源极击穿电压:  10 V

Id - C连续漏极电流:  150 mA

Rds On - 漏-源电阻:  2.9 0hms

配置:  Single

1.58 nC:  Qg - 闸极充电

最高工作温度:  + 150 C

FET 类型:  N 沟道

技术:  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）:  30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:  150mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:  1.5V，4V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:  1.3V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:  1.58nC @ 10V

Vgs（最大值）:  ±10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:  7pF @ 10V

功率耗散（最大值）:  150mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）:  3.7 欧姆 @ 80mA，4V

工作温度:  150°C（TJ）

安装类型:  表面贴装

供应商器件封装:  SC-70/MCPH3

封装/外壳:  SC-70，SOT-323

无铅情况/RoHs:  无铅/符合RoHs