型号: 3N163-E3
功能描述: Single P-Channel 40 V 250 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-72
制造商: Vishay
FET类型: P 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 50mA（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 20V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 10µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 3.5pF @ 15V
Vgs（最大值）: ±30V
功率耗散（最大值）: 375mW（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 250 欧姆 @ 100µA，20V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-206AF，TO-72-4 金属罐
封装形式Package: TO-206AF-4
极性Polarity: P-CH
漏源极击穿电压VDSS: 40V
连续漏极电流ID: 50mA
漏源极导通电阻RDS(ON): 250Ohms
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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