型号: 3SK292(TE85R,F)
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF High Freq VHF/UHF SMQ 4-Pin N-Ch 0.1
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 30 mA
Vds-漏源极击穿电压: 12.5 V
增益: 26 dB
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 125 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SMQ-4
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
工作频率: 500 MHz
系列: 3SK292
类型: RF Small Signal MOSFET
商标: Toshiba
Pd-功率耗散: 150 mW
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 8 V
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