型号: 4N35(SHORT,F)
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
通道数: 1
电压 - 隔离: 2500Vrms
电流传输比(最小值): 40% @ 10mA
打开 / 关闭时间(典型值): 3µs,3µs
输入类型: DC
输出类型: 有基极的晶体管
电压 - 输出(最大值): 30V
电流 - 输出/通道: 100mA
电压 - 正向(Vf)(典型值): 1.15V
电流 - DC 正向(If): 60mA
Vce 饱和值(最大值): 300mV
工作温度: -55°C ~ 100°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: 6-DIP(0.300",7.62mm)
供应商器件封装: 6-DIP
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:Alien
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