型号: 55GN01FA-TL-H
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型: NPN
电压-集射极击穿（最大值）: 10V
频率-跃迁: 4.5GHz ~ 5.5GHz
噪声系数（dB，不同f时的典型值）: 1.9dB @ 1GHz
增益: 11dB ~ 19dB @ 1GHz ~ 400MHz
功率-最大值: 250mW
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 100 @ 10mA，5V
电流-集电极（Ic）（最大值）: 70mA
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 3-SSFP
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 100 @ 10mA，5V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 70mA
封装/外壳: SC-81
电压 - 集射极击穿（最大值）: 10V
频率 - 跃迁: 4.5GHz ~ 5.5GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: 1.9dB @ 1GHz
功率 - 最大值: 250mW
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：郭
电话：13670017571
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
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Q Q:
