型号: 5LN01C-TB-E
功能描述: ON Semiconductor/分立半导体产品
制造商: ON Semiconductor
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）： 50V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 100mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 7.8 欧姆 @ 50mA，4V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： -
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 1.57nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 6.6pF @ 10V
功率 - 最大值： 250mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装： 3-CP
其它名称： 5LN01C-TB-E-ND5LN01C-TB-EOSTR
联系人：郭
电话：13670017571
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：zhang
Q Q:
联系人：李嘉良
电话：18607632774
Q Q:
联系人：歐陽
电话：13714200948
Q Q:
