型号: 5LP01M-TL-H
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型: P 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 50V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 70mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.5V，4V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 1.4nC @ 10V
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs: 10V
Vgs（最大值）: ±10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 7.4pF @ 10V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds: 10V
功率耗散（最大值）: 150mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 23 欧姆 @ 40mA，4V
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: 3-MCP
封装/外壳: SC-70，SOT-323
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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Q Q:
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电话：17080955875
Q Q:
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