型号: 5N04
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：42mΩ @ 5A,20V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道
制造商: HL(豪林)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 5A
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 42mΩ @ 5A,20V
最大功率耗散（Ta=25°C）: -
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：小柯
电话：13332931905
Q Q:
联系人：陈传城
电话：13612342533
Q Q:
联系人：李
电话：13332924159
Q Q:
联系人：庄小姐
Q Q:
