型号: 5N04
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:42mΩ @ 5A,20V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道
制造商: HL(豪林)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 5A
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 42mΩ @ 5A,20V
最大功率耗散(Ta=25°C): -
类型: N沟道
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