型号: 62-0063PBF
功能描述: MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC
制造商: Infineon Technologies
包装: 管件
系列: HEXFET®
零件状态: 停產
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 15A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.8V，4.5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 8 毫欧 @ 15A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.9V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 40nC @ 4.5V
Vgs（最大值）: ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2550pF @ 6V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SO
封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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