型号: 62-0095PBF
功能描述: MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
制造商: Infineon Technologies
包装: 管件
系列: -
零件状态: 停產
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 10A(Ta),12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 13.4 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.55V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值): 11nC @ 4.5V
Vgs(最大值): 11nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 900pF @ 10V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: -
封装/外壳: -
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