型号: 62-0203PBF
功能描述: MOSFET P-CH 12V 16A 8-SO
制造商: Infineon Technologies
包装: 管件
系列: HEXFET®
零件状态: 停產
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 16A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 7 毫欧 @ 16A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值): 91nC @ 4.5V
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 8676pF @ 10V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SO
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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