型号: 62-0203PBF
功能描述: MOSFET P-CH 12V 16A 8-SO
制造商: Infineon Technologies
包装: 管件
系列: HEXFET®
零件状态: 停產
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 16A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 7 毫欧 @ 16A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 91nC @ 4.5V
Vgs（最大值）: ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 8676pF @ 10V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SO
封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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