型号: 6616A
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A 漏源电压（Vdss）：18V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：21mΩ @ 9A,4.5V;27mΩ @ 6.2A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：双P沟道
制造商: GOFORD(谷峰)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 18V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 16A
栅源极阈值电压: 1V @ 250uA
漏源导通电阻: 21mΩ @ 9A,4.5V;27mΩ @ 6.2A,2.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 3W
类型: 双P沟道
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