型号: 6HP04MH-TL-W
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 24.1pF @ 20V
功率耗散（最大值）: 600mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 4.2 欧姆 @ 190mA，10V
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-3 扁平引线
FET 类型: P 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）: 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 370mA（Ta）
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 0.84nC @ 10V
漏源电压（Vdss）: 60V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4V，10V
Vgs（最大值）: ±20V
供应商器件封装: SC-70FL/MCPH3
封装/外壳: 3-SMD，扁平引线
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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