型号: 7026S35J8
功能描述:
制造商: Integrated Device Technology (IDT)
存储器类型: 易失
存储器格式: SRAM
技术: SRAM - 双端口，异步
存储容量: 256Kb （16K x 16）
写周期时间 - 字，页: 35ns
访问时间: 35ns
存储器接口: 并联
电压 - 电源: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: 0°C ~ 70°C（TA）
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 84-LCC（J 形引线）
供应商器件封装: 84-PLCC（29.21x29.21）
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：Alien
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联系人：李先生
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