型号: 70P245L90BYGI
功能描述:
制造商: Integrated Device Technology (IDT)
存储器类型: 易失
存储器格式: SRAM
技术: SRAM - 双端口，异步
存储容量: 64Kb （4K x 16）
写周期时间 - 字，页: 90ns
访问时间: 90ns
存储器接口: 并联
电压 - 电源: 1.7 V ~ 1.9 V
工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 100-TFBGA
供应商器件封装: 100-CABGA（6x6）
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
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电话：13923432237
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
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联系人：黃小姐
电话：13760273155
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联系人：卢先生
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联系人：蔡小姐
电话：13410511380
Q Q:
