型号: 70T633S10BFG8
功能描述:
制造商: Integrated Device Technology (IDT)
存储器类型: 易失
存储器格式: SRAM
技术: SRAM - 双端口，异步
存储容量: 9Mb （512K x 18）
写周期时间 - 字，页: 10ns
访问时间: 10ns
存储器接口: 并联
电压 - 电源: 2.4 V ~ 2.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C（TA）
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 208-LFBGA
供应商器件封装: 208-CABGA（15x15）
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：严发
电话：13670253753
Q Q:
联系人：蔡霞
电话：18124105996
Q Q:
联系人：崔浩峰
Q Q:
