型号: 70V07S35J
功能描述:
制造商: Integrated Device Technology (IDT)
存储器类型: 易失
存储器格式: SRAM
技术: SRAM - 双端口，异步
存储容量: 256Kb （32K x 8）
写周期时间 - 字，页: 35ns
访问时间: 35ns
存储器接口: 并联
电压 - 电源: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C（TA）
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 68-LCC（J 形引线）
供应商器件封装: 68-PLCC（24.21x24.21）
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
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联系人：赵小姐
电话：13049883113
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联系人：李先生
电话：18822854608
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联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：李师哲
电话：13048971103
Q Q:
联系人：周生
电话：18126187240
Q Q:
联系人：周先生
电话：15989859740
Q Q:
