型号: 70V26L35J8
功能描述:
制造商: Integrated Device Technology (IDT)
存储器类型: 易失
存储器格式: SRAM
技术: SRAM - 双端口，异步
存储容量: 256Kb （16K x 16）
写周期时间 - 字，页: 35ns
访问时间: 35ns
存储器接口: 并联
电压 - 电源: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C（TA）
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 84-LCC（J 形引线）
供应商器件封装: 84-PLCC（29.21x29.21）
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：王小康
电话：18188642307
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：赵佳利
电话：18098935664
Q Q:
联系人：杨德龙
电话：15817289960
Q Q:
联系人：郑先生
Q Q:
