型号: 70V659S10DRG
功能描述:
制造商: Integrated Device Technology (IDT)
存储器类型: 易失
存储器格式: SRAM
技术: SRAM - 双端口，异步
存储容量: 4.5Mb （128K x 36）
写周期时间 - 字，页: 10ns
访问时间: 10ns
存储器接口: 并联
电压 - 电源: 3.15 V ~ 3.45 V
工作温度: 0°C ~ 70°C（TA）
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 208-BFQFP
供应商器件封装: 208-PQFP（28x28）
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：张芯
电话：13826921752
Q Q:
联系人：曾世钦
电话：15973501778
Q Q:
联系人：方保
电话：18025408873
Q Q:
