型号: 71024S25TYG
功能描述:
制造商: Integrated Device Technology (IDT)
存储器类型: 易失
存储器格式: SRAM
技术: SRAM - 异步
存储容量: 1Mb （128K x 8）
写周期时间 - 字，页: 25ns
访问时间: 25ns
存储器接口: 并联
电压 - 电源: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: 0°C ~ 70°C（TA）
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）
供应商器件封装: 32-SOJ
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：朱先生
电话：13642999982
Q Q:
联系人：张超
电话：15989435940
Q Q:
联系人：朱仕海
电话：18023203040
Q Q:
