型号: 7130LA35J8
功能描述:
制造商: Integrated Device Technology (IDT)
存储器类型: 易失
存储器格式: SRAM
技术: SRAM - 双端口，异步
存储容量: 8Kb （1K x 8）
写周期时间 - 字，页: 35ns
访问时间: 35ns
存储器接口: 并联
电压 - 电源: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: 0°C ~ 70°C（TA）
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 52-LCC（J 形引线）
供应商器件封装: 52-PLCC（19.13x19.13）
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：吴子平
电话：15013856736
Q Q:
联系人：吴召辉
电话：13338911218
Q Q:
联系人：王小姐
电话：15099911282
Q Q:
