型号: 71V35761YSA200BG
功能描述: IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA
制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
Series: -
Package: Tray
Memory Type: Volatile
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Memory Size: 4.5Mb (128K x 36)
Memory Interface: Parallel
Clock Frequency: 200 MHz
Write Cycle Time - Word, Page: -
Access Time: 3.1 ns
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.465V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 119-BGA
Supplier Device Package: 119-PBGA (14x22)
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