型号: 935131425610-T3N
功能描述: 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 100nF 1206 BV:11Volt HSSC High Stability
制造商: Murata / IPDiA
制造商: Murata
产品种类: 基于硅的射频电容器/薄膜电容器
RoHS: 是
系列: HSSC
电容: 0.1 uF
容差: 15 %
外壳代码 - in: 1206
外壳代码 - mm: 3216
工作温度范围: - 55 C to + 150 C
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
长度: 3.36 mm
宽度: 1.76 mm
高度: 0.4 mm
封装: Reel
产品: Silicon Capacitors
端接类型: SMD/SMT
类型: 1206 High Stability Silicon Capacitor
商标: Murata / IPDiA
产品类型: Silicon RF Capacitors / Thin Film
工厂包装数量: 1000
子类别: Capacitors
温度系数/代码: 0.5 %
零件号别名: 935131425610
单位重量: 6.300 mg
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