型号: 94-3316
功能描述: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
制造商: Infineon Technologies
包装: 管件
系列: HEXFET®
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2A（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 140 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 14nC @ 10V
Vgs（最大值）: 14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 230pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: -
工作温度: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-223
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
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