型号: A1P35S12M3
功能描述: IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 是
技术: Si
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Sixpack
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 1.95 V
在25 C的连续集电极电流: 35 A
栅极—射极漏泄电流: 500 nA
Pd-功率耗散: 250 W
封装 / 箱体: ACEPACK1
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
系列: A1P35S12M3
商标: STMicroelectronics
安装风格: Through Hole
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 18
子类别: IGBTs
商标名: ACEPACK
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