型号: A2C25S12M3
功能描述: IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 是
技术: Si
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Converter Inverter Brake
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 1.95 V
在25 C的连续集电极电流: 25 A
栅极—射极漏泄电流: 500 nA
Pd-功率耗散: 197 W
封装 / 箱体: ACEPACK2
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
系列: A2C25S12M3
商标: STMicroelectronics
安装风格: Through Hole
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 18
子类别: IGBTs
商标名: ACEPACK
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：陈欣
电话：13725554160
Q Q:
联系人：赵伟滨
电话：19926488141
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：黄
电话：18927111567
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：张
电话：18028720686
Q Q:
联系人：陈焕槟
电话：13714761665
Q Q:
联系人：王宾朋
电话：15013461744
Q Q:
