型号: A2G22S190-01SR3
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2G22S190-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: GaN Si
Id-连续漏极电流: 19 mA
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
增益: 16.5 dB
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-400S-2
封装: Reel
工作频率: 1800 MHz to 2200 MHz
系列: A2G22S190
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP Semiconductors
通道数量: 1 Channel
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 250
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: - 2.3 V
零件号别名: 935372783118
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