型号: A2T18H160-24SR3
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H160-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
制造商: NXP / Freescale
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 600 mA, 1 A
Vds-漏源极击穿电压: - 500 mV, 65 V
增益: 17.9 dB
输出功率: 28 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-780S-4L2L-6
封装: Reel
工作频率: 1.805 GHz to 1.88 GHz
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP / Freescale
通道数量: 2 Channel
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 250
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
零件号别名: 935316045128
单位重量: 4.672 g
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：朱慧杰
电话：13189727460
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：18923795677
Q Q:
联系人：保江
电话：13537883137
Q Q:
