型号: A2T18H160-24SR3
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H160-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
制造商: NXP / Freescale
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 600 mA, 1 A
Vds-漏源极击穿电压: - 500 mV, 65 V
增益: 17.9 dB
输出功率: 28 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-780S-4L2L-6
封装: Reel
工作频率: 1.805 GHz to 1.88 GHz
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP / Freescale
通道数量: 2 Channel
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 250
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
零件号别名: 935316045128
单位重量: 4.672 g
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