型号: A2T26H165-24SR3
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T26H165-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
制造商: NXP / Freescale
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 700 mA, 1.2 A
Vds-漏源极击穿电压: - 500 mV, 65 V
增益: 14.7 dB
输出功率: 32 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-780S-4L2L-6
封装: Reel
工作频率: 2.496 GHz to 2.69 GHz
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP / Freescale
通道数量: 2 Channel
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 250
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V
零件号别名: 935313041128
单位重量: 4.672 g
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：曾先生
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：李楚楚
电话：13480991179
Q Q:
联系人：毕海洋
电话：18631455256
Q Q:
联系人：张琳琳
电话：82730582
Q Q:
