型号: A2V09H300-04NR3
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V09H300-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
制造商: NXP / Freescale
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 900 mA, 1.3 A
Vds-漏源极击穿电压: - 500 mV, 105 V
增益: 19.7 dB
输出功率: 79 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: OM-780-4L-4
封装: Reel
工作频率: 720 MHz to 960 MHz
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP / Freescale
通道数量: 2 Channel
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 250
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
零件号别名: 935320809528
单位重量: 3.097 g
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：刘群
电话：13129599479
Q Q:
联系人：马玉英
电话：13266852414
Q Q:
联系人：严先生
电话：15818585995
Q Q:
联系人：朱燕兵
电话：15019280926
Q Q:
