型号: A3G20S250-01SR3
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3G20S250-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性: N-Channel
技术: GaN Si
Id-连续漏极电流: 250 mA
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
增益: 18.2 dB
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-400S-2
封装: Cut Tape
封装: Reel
工作频率: 1800 MHz to 2200 MHz
系列: A3G20S250
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP Semiconductors
通道数量: 1 Channel
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 250
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: - 2.3 V
零件号别名: 935377832118
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：曹治国
电话：15915353327
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：陈小七
电话：13570880985
Q Q:
联系人：陈燕妹
电话：13424205415
Q Q:
联系人：林宏发
电话：18926565161
Q Q:
