型号: AF4N65S
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.6Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W 类型：N沟道
制造商: AnBon(台湾安邦)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 4A
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 2.6Ω @ 2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 35W
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：郭智贤
电话：13590256842
Q Q:
联系人：赵
电话：15398479821
Q Q:
联系人：刘玉花
电话：13302927908
Q Q:
联系人：郑希明
电话：13372347927
Q Q:
