型号: AFGHL50T65SQDC
功能描述: IGBT 650V A
制造商: ON Semiconductor
包装: 管件
系列: 汽车级，AEC-Q101
零件状态: 有源
IGBT 类型: 场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）: 650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 100A
脉冲电流 - 集电极 (Icm): 200A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）: 2.1V @ 15V，50A
功率 - 最大值: 238W
开关能量: 131µJ（开），96µJ（关）
输入类型: 标准
栅极电荷: 94nC
25°C 时 Td（开/关）值: 17.6ns/94.4ns
测试条件: 400V，12.5A，4.7 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）: 400V，12.5A，4.7 欧姆，15V
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3 变式
供应商器件封装: TO-247-3
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13652405995
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：王毅
电话：13360074125
Q Q:
联系人：黄先生
Q Q:
联系人：李旭全
电话：15099933079
Q Q:
