型号: AFGHL50T65SQDC
功能描述: IGBT 650V A
制造商: ON Semiconductor
包装: 管件
系列: 汽车级，AEC-Q101
零件状态: 有源
IGBT 类型: 场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）: 650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 100A
脉冲电流 - 集电极 (Icm): 200A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）: 2.1V @ 15V，50A
功率 - 最大值: 238W
开关能量: 131µJ（开），96µJ（关）
输入类型: 标准
栅极电荷: 94nC
25°C 时 Td（开/关）值: 17.6ns/94.4ns
测试条件: 400V，12.5A，4.7 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）: 400V，12.5A，4.7 欧姆，15V
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3 变式
供应商器件封装: TO-247-3
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