AFM907NT1规格参数_AFM907NT1全国代理商/分销商

型号: AFM907NT1
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 3 A
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
增益: 15 dB
输出功率: 8 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DFN-16
封装: Cut Tape
封装: Reel
工作频率: 136 MHz to 941 MHz
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值: 9.8 S
通道数量: 1 Channel
湿度敏感性: Yes
Pd-功率耗散: 65.7 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V , 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V
零件号别名: 935346918515
单位重量: 0.001 mg