型号:  AFM907NT1

功能描述:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power

制造商:  NXP Semiconductors

制造商:  NXP

产品种类:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:  是

晶体管极性:  N-Channel

技术:  Si

Id-连续漏极电流:  3 A

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

增益:  15 dB

输出功率:  8 W

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 150 C

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  DFN-16

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

工作频率:  136 MHz to 941 MHz

类型:  RF Power MOSFET

商标:  NXP Semiconductors

正向跨导 - 最小值:  9.8 S

通道数量:  1 Channel

湿度敏感性:  Yes

Pd-功率耗散:  65.7 W

产品类型:  RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:  - 6 V , 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.6 V

零件号别名:  935346918515

单位重量:  0.001 mg