型号: AFT09MS031GNR1
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ13.6V
制造商: NXP / Freescale
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
技术: Si
Vds-漏源极击穿电压: - 500 mV, 40 V
增益: 18.5 dB
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-270-2
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
工作频率: 764 MHz to 941 MHz
系列: AFT09MS031N
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP / Freescale
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, 12 V
零件号别名: 935314738528
单位重量: 548 mg
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