型号: AFT18P350-4S2LR6
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AIRFAST 1.8-2.0GHZ C
制造商: NXP / Freescale
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 1 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
增益: 16.1 dB
输出功率: 63 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-1230-4
封装: Reel
配置: Single
工作频率: 1805 MHz to 1880 MHz
系列: AFT18P350_4S2L
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP / Freescale
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 150
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 1.2 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.9 V
零件号别名: 935317727128
单位重量: 8.518 g
联系人：杨晓芳
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