型号: AFT20S015NR1
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8-2.7G 15W TO270-2
制造商: NXP / Freescale
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 133 mA
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
增益: 17.6 dB
输出功率: 1.5 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-270-2
封装: Reel
配置: Single
工作频率: 2111 MHz to 2170 MHz
系列: AFT20S015N
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP / Freescale
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
零件号别名: 935321859528
单位重量: 529.550 mg
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