型号: AFT31150NR5
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W 2700-3100MHz
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 1.8 A
Vds-漏源极击穿电压: - 500 mV, 65 V
增益: 17 dB
输出功率: 150 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: OM-780-2L
封装: Cut Tape
封装: Reel
工作频率: 2700 MHz to 3100 MHz
系列: AFT31150N
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP Semiconductors
通道数量: 1 Channel
湿度敏感性: Yes
Pd-功率耗散: 741 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
零件号别名: 935346512578
单位重量: 3.081 g
联系人:Alien
联系人:李先生
电话:17080955875
联系人:朱小姐
电话:13725570869
联系人:郑小姐
电话:18188616613
联系人:陈晓玲
电话:18126117392
联系人:杨先生
电话:13352985419
联系人:木易
电话:13352985419
联系人:陈伟杰
电话:15914022833
联系人:陈小姐
Q Q:
联系人:庄培彬