型号: AFV141KHSR5
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV141KHS/CFM4F///REEL 13
制造商: NXP / Freescale
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 2.6 A
Vds-漏源极击穿电压: - 500 mV, 105 V
增益: 17.7 dB
输出功率: 1 kW
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-1230S-4S-4
封装: Reel
工作频率: 1.2 GHz to 1.4 GHz
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP / Freescale
通道数量: 2 Channel
Pd-功率耗散: 910 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
零件号别名: 935316277178
单位重量: 8.518 g
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：朱先生
Q Q:
联系人：杨锦潼
电话：15914154477
Q Q:
联系人：杨文炎
电话：13828847993
Q Q:
