型号: AFV141KHSR5
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV141KHS/CFM4F///REEL 13
制造商: NXP / Freescale
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 2.6 A
Vds-漏源极击穿电压: - 500 mV, 105 V
增益: 17.7 dB
输出功率: 1 kW
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-1230S-4S-4
封装: Reel
工作频率: 1.2 GHz to 1.4 GHz
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP / Freescale
通道数量: 2 Channel
Pd-功率耗散: 910 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
零件号别名: 935316277178
单位重量: 8.518 g
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：曾先生
电话：13242990037
Q Q:
联系人：庄小姐
电话：13288043036
Q Q:
联系人：曹宏树
电话：18576774117
Q Q:
