型号: AGR09045EF
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
制造商: Advanced Semiconductor, Inc.
制造商: Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 4.25 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 200 C
封装: Tray
配置: Single
工作频率: 895 MHz
类型: RF Power MOSFET
商标: Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散: 117 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 15 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.8 V
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