型号: AGR26045EF
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
制造商: TriQuint (Qorvo)
制造商: Qorvo
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
商标: TriQuint (Qorvo)
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : 15 V
增益: 13 dB
输出功率: 6.5 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: 26045EF
最小工作温度: - 65 C
工作频率: 2.535 GHz to 2.655 GHz
Pd-功率耗散: 117 W
类型: RF Power MOSFET
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.8 V
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