型号: AGR26045EF
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
制造商: TriQuint (Qorvo)
制造商: Qorvo
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
商标: TriQuint (Qorvo)
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : 15 V
增益: 13 dB
输出功率: 6.5 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: 26045EF
最小工作温度: - 65 C
工作频率: 2.535 GHz to 2.655 GHz
Pd-功率耗散: 117 W
类型: RF Power MOSFET
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.8 V
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：朱先生
电话：13723794312
Q Q:
联系人：李先生
电话：13554802629
Q Q:
联系人：全小姐
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13332931905
Q Q:
联系人：黄小姐
电话：13267216796
Q Q:
联系人：康先生
电话：15830690676
Q Q:
联系人：庄梓豪
电话：18620174454
Q Q:
