型号: ALD1101PA
功能描述: MOSFET Dual N-Channel Pair
制造商: Advanced Linear Devices
制造商: Advanced Linear Devices
产品种类: MOSFET
商标: Advanced Linear Devices
Id-连续漏极电流: 40 mA
Vds-漏源极击穿电压: 10.6 V
Rds On-漏源导通电阻: 75 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 10.6 V
最大工作温度: + 70 C
Pd-功率耗散: 500 mW
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: PDIP-8
通道模式: Enhancement
配置: Dual
正向跨导 - 最小值: 0.01 S
最小工作温度: 0 C
系列: ALD1101P
工厂包装数量: 50
单位重量: 483.600 mg
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