型号: ALD1106PB
功能描述: MOSFET Quad N-Channel
制造商: Advanced Linear Devices
制造商: Advanced Linear Devices
产品种类: MOSFET
商标: Advanced Linear Devices
Id-连续漏极电流: 4.8 mA
Vds-漏源极击穿电压: 12 V
Rds On-漏源导通电阻: 350 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 13.2 V
最大工作温度: + 70 C
Pd-功率耗散: 500 mW
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: PDIP-14
通道模式: Enhancement
配置: Quad
正向跨导 - 最小值: 0.0018 S
最小工作温度: 0 C
系列: ALD1106P
工厂包装数量: 50
单位重量: 1.200 g
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