型号: ALD110902PA
功能描述: MOSFET Dual N-Channel EPAD Matched Pair MOSFET ArrayVgs= 0.2 V
制造商: Advanced Linear Devices
制造商: Advanced Linear Devices
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 40 mA
Vds-漏源极击穿电压: 10.6 V
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 10.6 V
最大工作温度: + 70 C
Pd-功率耗散: 500 mW
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: PDIP-8
商标: Advanced Linear Devices
通道模式: Depletion
配置: Dual
最小工作温度: 0 C
系列: ALD110902P
工厂包装数量: 50
典型关闭延迟时间: 10 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
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