型号: ALD1109EPAL
功能描述:
制造商: Advanced Linear Devices
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 10 V
闸/源击穿电压: 10.6 V
漏极连续电流: 12 mA
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 500 Ohms
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: PDIP-8
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 0.0014 S
功率耗散: 500 mW
工厂包装数量: 50
联系人：唐伟,吕年英
电话：13510558532
Q Q:
联系人：宁先生
电话：13142358999
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：18317142458
Q Q:
联系人：陈欣
电话：13725554160
Q Q:
联系人：蔡小姐
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Q Q:
联系人：张
电话：15921761256
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
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Q Q:
联系人：李先生,张女士
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联系人：郭先生
电话：13480683505
Q Q:
联系人：陈柏轩
电话：18822887913
Q Q:
