型号: ALD1109EPAL
功能描述:
制造商: Advanced Linear Devices
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 10 V
闸/源击穿电压: 10.6 V
漏极连续电流: 12 mA
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 500 Ohms
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: PDIP-8
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 0.0014 S
功率耗散: 500 mW
工厂包装数量: 50
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Q Q:
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