型号: ALD1121ESA
功能描述: MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
制造商: Advanced Linear Devices
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 10 V
配置: Dual
最大工作温度: + 70 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
商标: Advanced Linear Devices
最小工作温度: 0 C
功率耗散: 600 mW
系列: ALD1121ES
工厂包装数量: 50
ROHS: 含铅
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