型号: ALD114935SAL
功能描述: Advanced Linear Devices Inc/分立半导体产品
制造商: Advanced Linear Devices Inc
标准包装： 50
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： EPAD®
包装： 管件
FET 类型： 2 N 沟道（双）配对
FET 功能： 耗尽模式
漏源极电压（Vdss）： 10.6V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 12mA，3mA
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 540 欧姆 @ 0V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3.45V @ 1µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： -
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 2.5pF @ 5V
功率 - 最大值： 500mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装： 8-SOIC
其它名称： 1014-1068
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